Карбид кремния (SiC) керамика обладает превосходной теплопроводностью, устойчивостью к высоким температурам, износу и коррозии, широко применяется в производстве полупроводников, фотоэлектрических новых источниках энергии, аэрокосмической тепловой защите и высокотемпературной металлургии. На их эксплуатационные характеристики влияют морфология зерен, зернограничные условия и остаточное напряжение.
EBSD служит важным методом определения характеристик для анализа ориентации зерен, текстуры и микродефектов SiC. Надежные данные EBSD помогают оптимизировать спекание и избежать выхода из строя компонентов. Точная подготовка образцов определяет успех индексации EBSD для твердой и хрупкой SiC-керамики. Стандартная наждачная бумага не поддается шлифовке; Требуются алмазные диски плюс виброполировка.
Рисунок 1: Микрофотография образца керамики карбида кремния (SiC) (масштаб: 300 мкм)
Рисунок 2: Микрофотография образца керамики карбида кремния (SiC) (масштаб: 300 мкм)





